公开/公告号CN2700952Y
专利类型
公开/公告日2005-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 大唐微电子技术有限公司;
申请/专利号CN200320100564.X
申请日2003-10-15
分类号G06F12/08;G06F9/305;
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人颜涛
地址 100083 北京市海淀区学院路40号
入库时间 2022-08-21 22:48:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-11-28
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2005-05-18
授权
授权
机译: 具有存储器器件和逻辑器件的性能优化的栅极结构,该存储器器件具有相对于逻辑器件的硅化物源极/漏极区升高的硅化物源极/漏极区
机译: 虚拟寻址缓冲电路和地址转换方法,系统BIOS屏蔽方法,实存储器优化方法,实存储器使用方法,CPU控制系统中的仿真方法和CPU请求重定向方法
机译: 虚拟寻址缓冲电路和地址转换方法,系统BIOS屏蔽方法,实存储器优化方法,实存储器使用方法,CPU控制系统中的仿真方法和重定向CPU请求(虚拟寻址缓冲电路)