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一种具有宽谱域光透过特性和陨石坑绒面直接生长的ZnO:Li透明导电薄膜的制备方法

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本发明涉及一种具有宽谱域光透过特性和陨石坑绒面直接生长的ZnO:Li透明导电薄膜的制备方法及其制得产品，本发明采用磁控溅射方法，利用Li原子的高温易挥发特性，通过控制溅射沉积时高低温衬底温度实现调制掺杂，解决ZnO透明导电膜可见-红外光波段光透过率和导电性相制约问题；通过对ZnO:Li薄膜层的氢化，生长ZnO:Li-H过渡疏松层，出现（1000）偶极面，吸附氧，上移真空能级，解决ZnO:？X-H与电池窗口层之间势垒过高问题；通过氢等离子体刻蚀和溅射粒子轰击过渡疏松层表面，直接生长陨石坑绒面。该ZnO:Li透明导电薄膜，在480nm-2300nm光波长范围光透过率达到85%以上，电阻率也达到了10

著录项

公开/公告号CN104078531B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-13

原文格式PDF
申请/专利权人景德镇陶瓷学院;
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申请/专利号CN201410299623.3
发明设计人胡跃辉;陈义川;胡克艳;
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申请日2014-06-30
分类号
代理机构
代理人
地址 333001 江西省景德镇市珠山区新厂陶瓷学院老校区工程中心
入库时间 2022-08-23 09:38:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-22

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20140630

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-04-13

授权

授权
2014-10-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140630

实质审查的生效
2014-10-01

公开

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