公开/公告号CN2586210Y
专利类型
公开/公告日2003-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 昆盈企业股份有限公司;
申请/专利号CN02294515.6
发明设计人 陈忠和;
申请日2002-12-16
分类号G06K7/00;
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人刘国平
地址 中国台湾
入库时间 2022-08-21 22:45:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-02-06
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-11-12
授权
授权
机译: 具有相同双层氧化物的快闪记忆体的制造方法和使用该方法的快闪记忆体
机译: 用于制造快闪记忆体半导体装置的扩大的氧化物-氮化物-氧化物结构的方法
机译: 快闪记忆体