法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
授权
授权
2015-09-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C05G3/00 申请日:20150331
实质审查的生效
2015-08-19
公开
公开
机译: 记录了一种能够通过降低溶解氧来提高可靠性和基质处理效率的基础处理设备和一种基质处理方法以及用于执行基质处理方法的计算机程序中的记录介质
机译: 制造半导体器件的方法,一种处理基质的方法,一种基质处理设备以及一种非瞬态计算机可读记录介质,该介质可提高氢氟酸液体的刻蚀速率
机译: 制造能够提高薄膜质量的半导体器件的方法,一种处理基质的方法,一种基质处理设备以及一种记录介质