法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
授权
授权
2013-07-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/11 申请日:20130308
实质审查的生效
2013-06-12
公开
公开
机译: 利用相位脉冲调制和源脉冲调制形成半导体器件的Damascene图案的方法,以防止在图案的底部角落产生微沟槽
机译: 脉冲调制信号指定方法,脉冲调制信号识别方法,以及脉冲调制信号识别装置
机译: 使用固体绝缘体的紧凑型低压线路高压脉冲发生器,能够使用固体绝缘体来供应高压线高压脉冲调制装置