在具有金属部件的反应器中处理半导体时减小金属污染物的方法

摘要

一种减少半导体处理期间的金属污染物的方法，包括在反应器特定金属部件上形成氧化铝层。通过首先在干燥的氮气氛中，将金属部件加热至第一个温度(110)，然后，再于干燥的氢气氛中加热至第二个温度(120)，来形成所述的氧化铝层。然后，在第二个温度下，于湿氢气氛中均热处理所述部件，以形成所述的氧化铝层(130)，之后，在第二个温度下，于干燥的氢气氛中均热处理，以便将已形成的其它任何金属的氧化物还原(140)。之后，首先将所述部件在干燥的氢气氛中冷却(150)，然后，再于干燥的氮气氛中冷却(160)，其中，基本上纯的氧化铝层在所述金属部件的表面上形成。