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基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法

摘要

基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法,包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底;在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料;在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆,形成金属电极,与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线,在洁净的大气环境中放置3-5小时;将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上,之后再将普通玻璃平稳放在封装层上,在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单,具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变,对实际应用非常有利。

著录项

  • 公开/公告号CN103681902B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌大学;

    申请/专利号CN201310650605.0

  • 发明设计人 艾易龙;程抱昌;

    申请日2013-12-03

  • 分类号H01L31/0296(20060101);H01L31/0203(20140101);H01L31/18(20060101);B82Y15/00(20110101);

  • 代理机构36115 南昌新天下专利商标代理有限公司;

  • 代理人施秀瑾

  • 地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-24

    授权

    授权

  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0296 申请日:20131203

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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