法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-17
授权
授权
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/528 申请日:20121222
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: P型基于ZnO的复合半导体层,基于ZnO的复合半导体元件以及N型基于ZnO的复合半导体叠层结构
机译: 记忆层的3D垂直型带屏蔽电极的垂直电池盒,绝缘层可改善放大率和基于氧化物的金属氧化物半导体存储器件的性能,一种存储方法
机译: III族基于氮化物的半导体基质,垂直结构的氮化物型半导体发光器件和生产III族基于氮化物的半导体基质的方法