铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法

摘要

本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。该应力调节筋所用的材料选择是根据制造的需要而选择相适应热膨胀系数的材料。