公开/公告号CN102856147B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海凯世通半导体有限公司;
申请/专利号CN201110177716.5
发明设计人 钱锋;
申请日2011-06-28
分类号
代理机构上海弼兴律师事务所;
代理人薛琦
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
入库时间 2022-08-23 09:35:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-20
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J37/317 变更前: 变更后: 申请日:20110628
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-02-17
授权
授权
2014-05-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/317 申请日:20110628
实质审查的生效
2013-01-02
公开
公开
机译: 横向磁场对光束束聚集区域的束调制装置和使用深度剂量调制装置的束流辐射治疗装置以及在束束上的剂量横向束流和束流调制的方法
机译: 横向磁场对光束束聚集区域的束调制装置和使用深度剂量调制装置的束流辐射治疗装置以及在束束上的剂量横向束流和束流调制的方法
机译: 具有弹性安装的电子束流束,特别是用于高压的束流控制电极和制备该束流束的方法