集成电路的内建电感及利用深沟渠阻断寄生电流的结构

摘要

一种在集成电路内利用内建电感元件阻断寄生电流的元件结构，将侧面形成如栅状结构的相互平行的深沟渠电容元件。利用此深沟渠储存电荷，可以阻断基底产生的寄生损失电流。集成电路内有主动元件区，配置复数个主动元件，以场氧化层做隔离。电感在沟渠的正上方，沟渠以干蚀刻形成，深度为0.5微米至10微米之间。