首页> 中国专利> 一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置及方法

一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置及方法

摘要

本发明提出了一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置和方法,所述装置包含:辐射源,真空单元,样品靶台,控制单元;静电电位计,用于测量某一通量时的试样介质的表面电位;静电计,用于测量某一通量时试样的泄露电流;总电导率获得单元,用于基于测量得到的表面电位和泄露电流得到总电导率;电位衰减测量单元;第一处理单元,用于基于得到的电位随时间衰减曲线和电荷贮存衰减法,得到各通量下的暗电导率值,再取平均得到最终的暗电导率σ

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01N27/02 变更前: 变更后: 申请日:20130916

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/02 申请日:20130916

    实质审查的生效

  • 2013-12-18

    公开

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