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高熔点导电硬陶瓷材料钽的碳化物的制备方法

摘要

本发明的高熔点导电硬陶瓷材料钽的碳化物的制备方法,属于陶瓷材料的技术领域。钽的碳化物主要组分是TaC或Ta2C。以钽粉和碳粉为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钽的碳化物材料;所述的高温高压合成,是在高压装置上进行,在压力为5.2~6.0GPa、温度为2000~2200K下保温保压60~180分钟。本发明方法简单,不采用任何助熔剂,易于实施;制备出单一相的较高纯度的TaC或Ta2C;制备出的TaC材料具有高熔点、高导电率和高硬度;制备过程中有效地抑制了钽蒸汽的产生,杜绝了对人员与环境造成伤害和污染;可有效地利用被淘汰的小腔体六面顶液压机,延伸其使用年限,节省能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN103601188B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201310636225.1

  • 申请日2013-11-30

  • 分类号C01B31/30(20060101);

  • 代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人王恩远

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B31/30 授权公告日:20160120 终止日期:20161130 申请日:20131130

    专利权的终止

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2014-03-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/30 申请日:20131130

    实质审查的生效

  • 2014-02-26

    公开

    公开

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