法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-06
授权
授权
2014-01-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G01V9/00 申请日:20130823
实质审查的生效
2013-12-25
公开
公开
机译: 具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译: 具有N型沟道杂质区和P型杂质层的N型沟道杂质区下具有增强型NMOS和压陷型MOS的半导体集成电路器件
机译: 成为独立的,扭曲的N沟道型和P沟道型晶体管