首页> 中国专利> 一种电场辅助制备一维纳米ZnO晶须的方法

一种电场辅助制备一维纳米ZnO晶须的方法

摘要

本发明是一种通过电场辅助法制备一维纳米ZnO晶须的方法,主要原料是硝酸锌,六亚甲基四铵。该工艺主要包括以下三步:①前驱体溶液的制备,②电场导向生长ZnO晶须,③晶须热处理。本发明的特征在于采用价格低廉的无机盐为原料,以及通过在溶液法基础上外加电场的应用实现了高长径比ZnO晶须的制备。通过这一方法可以制备出长径比高达100的六方纤锌矿ZnO晶须,并可以通过外加电场大小变化在一定范围内控制晶须的长径比。该发明制备工艺简单,生产成本低,制备的ZnO晶须直径、长度可控。

著录项

  • 公开/公告号CN103320867B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201310143243.6

  • 发明设计人 王浩;黄志新;程磊;梅森;

    申请日2013-04-12

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人王守仁

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2022-08-23 09:32:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    授权

    授权

  • 2013-10-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B30/02 申请日:20130412

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号