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液相电沉积N-型及P-型一维纳米线阵列温差电材料及设备和制备方法

摘要

本发明是涉及温差电材料及制备方法,特别涉及一种液相电沉积N-型及P-型一维纳米线阵列温差电材料及设备和备方法。本发明采用模板法,以具有纳米孔阵列结构的多孔膜为模板,采用液相电沉积技术,通过在具有纳米孔阵列结构的多孔模板的纳米级微孔内沉积出温差电材料,制备出N型及P型一维纳米线阵列温差电材料。这种厚度在微米量级的一维纳米线阵列温差电材料可用于制备厚度在微米量级的微型温差电池。

著录项

  • 公开/公告号CN1195331C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN02125377.3

  • 发明设计人 王为;郭鹤桐;张伟玲;

    申请日2002-07-30

  • 分类号H01L35/02;H01L35/34;H01L35/12;

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人王丽

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 35/02 授权公告日:20050330 终止日期:20130730 申请日:20020730

    专利权的终止

  • 2005-03-30

    授权

    授权

  • 2003-08-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-05

    公开

    公开

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