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一种用于脑深部经颅磁刺激的H型线圈优化方法

摘要

一种用于脑深部经颅磁刺激的H型线圈优化方法:通过磁共振成像或CT数据建立包含边缘系统的真实头部结构模型,在有限元软件中建立包含边缘系统的真实头部电导率模型;根据真实头部结构模型的外轮廓建立切向真实头部结构模型外表面的H型线圈;确定额叶前部、顶部和侧部导线模型分布范围,建立在真实头部结构模型的额叶前部、顶部及侧部不同导线间隔的H型线圈模型;运用有限元方法模拟H型线圈在真实头部电导率模型上的电场分布,设置评价线圈深部特性的标准;以评价H型线圈设计的标准为依据,确定H型线圈额叶前部、顶部和侧部不同位置最佳导线间隔。本发明改变额叶前部、上部和侧部的导线间隔,评估导线间隔对电场深部特性的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN104096316B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410346305.8

  • 发明设计人 殷涛;程欢欢;刘志朋;

    申请日2014-07-21

  • 分类号A61N2/04(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人杜文茹

  • 地址 300192 天津市南开区白堤路236号

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-18

    授权

    授权

  • 2014-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):A61N2/04 申请日:20140721

    实质审查的生效

  • 2014-10-15

    公开

    公开

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