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一种SRAM-based FPGA退化测试系统

摘要

一种SRAM-based FPGA退化测试系统,属于电力电子技术领域。为了解决现有用于检测NBTI退化效应使FPGA产生延时量的测量系统测量精度低且进一步解决了无法同时测量多种应力的问题,本发明包括示波器、控制器、程控双路电源、辅助控制器FPGA、恒温箱、A/D转换器、被测FPGA和晶振;控制器控制辅助控制器FPGA,且辅助控制器FPGA输出的信号应力、辅助控制器FPGA通过程控双路电源输出的电压应力和通过恒温箱输出的温度应力同时施加给被测FPGA,示波器用于接收被测FPGA输出的信号。本发明主要应用在检测NBTI退化效应领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103439644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201310351573.4

  • 申请日2013-08-13

  • 分类号G01R31/28(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人张利明

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:30:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-23

    授权

    授权

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20130813

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

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