法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-16
授权
授权
2015-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/00 申请日:20140905
实质审查的生效
2014-12-24
公开
公开
机译: 用于至少一种基板的气体处理的系统,包括反应室,用于支撑布置在反应室中的一种基板的基板支撑结构,静态气体注入器和至少一个可移动气体注入器
机译: 用于至少一种基板的气体处理的系统,包括反应室,用于支撑布置在反应室中的一种基板的基板支撑结构,静态气体注入器和至少一个可移动气体注入器
机译: 在布置在用于半导体制造的蚀刻室中的衬底中对结构进行各向异性蚀刻的方法包括使用蚀刻气体和钝化气体,该气体在限定的时间段内被馈送到该室中