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具有改善的局部匹配与端末电阻的RX基电阻器的半导体装置

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摘要

形成在紧密靠近的电阻器之间具有减少的变化性、具有经改善的端末电阻、和减少的随机掺杂剂不匹配的半导体装置。实施例包含以相当高剂量(例如大约4至大约6keV)、和相当低植入能量(例如大约1.5至大约2E15/cm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/329 授权公告日:20150909 终止日期:20190512 申请日:20100512

专利权的终止
2015-09-09

授权

授权
2015-09-09

授权

授权
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20100512

实质审查的生效
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20100512

实质审查的生效
2012-05-16

公开

公开
2012-05-16

公开

公开

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1. 具有改善的局部匹配与端末电阻的RX基电阻器的半导体装置 [P] . 中国专利： CN102460659B . 2015.09.09
2. 用于集成电路（IC）中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端（MOL）金属电阻器温度传感器 [P] . 中国专利： CN109642828B . 2021.04.16
3. Semiconductor devices with improved local matching and end resistance of RX based resistors [P] . 美国专利： US8183107B2 . 2012-05-22

机译：具有基于RX的电阻器的改善的局部匹配和端电阻的半导体器件
4. SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED LOCAL MATCHING AND END RESISTANCE OF RX BASED RESISTORS [P] . 美国专利： US2010301423A1 . 2010-12-02

机译：具有改进的局部匹配和基于RX的电阻的端电阻的半导体器件
5. SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED LOCAL MATCHING AND END RESISTANCE OF DIFFUSION RESISTORS [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010138308A1 . 2010-12-02

机译：具有改进的局部匹配和扩散电阻端电阻的半导体器件