平行度小于1秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法

摘要

本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度小于1秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察省时、省力。