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公开/公告号CN103668096B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-12
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN201310739712.0
发明设计人 李正亮;刘震;丁录科;孙冰;曹占锋;惠官宝;
申请日2013-12-26
分类号C23C14/35(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人李迪
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2022-08-23 09:28:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-12
授权
2014-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20131226
实质审查的生效
2014-03-26
公开
机译: 磁靶和具有该靶的磁控溅射设备
机译: 磁控溅射装置包括可相对移动的靶和磁系统
机译: 具有相同功能的磁靶和磁控溅射装置
机译:基于粉末磁靶射频磁控溅射沉积的Cu掺杂ZnO纳米晶膜的高选择性H2S气体传感器
机译:靶角对薄膜磁控直流溅射磁控溅射铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响
机译:富磁靶射频磁控溅射生长钽酸锂薄膜
机译:磁光THFECO薄膜磁控溅射从低磁渗透率和高磁渗透率的靶
机译:单排和双排靶Z型夹点内爆动力学和磁-瑞利-泰勒不稳定性建模
机译:N2分压对液靶反应磁控溅射外延沉积GaN纳米棒生长结构和光学性能的影响
机译:简单的自制设备,用于收集未培养的趋磁微生物简单的设备,用于捕获未培养的趋磁微生物
机译:等离子体诊断研究过程变量对射频磁控溅射过程中从(1-x)Li4siO4:(x)Li3pO4靶射出的原子和分子种类的影响。