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一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法

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摘要

本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10～60min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO

著录项

  • 公开/公告号CN102856434B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN201210322845.3

  • 发明设计人 丁建宁;张福庆;袁宁一;程广贵;王秀琴;凌智勇;张忠强;

    申请日2012-09-04

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人楼高潮

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/18 授权公告日:20150422 终止日期:20190904 申请日:20120904

    专利权的终止

  • 2017-12-29

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L31/18 合同备案号:2017320000201 让与人:江苏大学 受让人:常州天合光能有限公司 发明名称:一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法 申请公布日:20130102 授权公告日:20150422 许可种类:独占许可 备案日期:20171206 申请日:20120904

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2017-12-29

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 合同备案号:2017320000201 让与人:江苏大学 受让人:常州天合光能有限公司 发明名称:一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法 申请公布日:20130102 授权公告日:20150422 许可种类:独占许可 备案日期:20171206 申请日:20120904

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2015-04-22

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    授权

    授权

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20120904

    实质审查的生效

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20120904

    实质审查的生效

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20120904

    实质审查的生效

  • 2013-01-02

    公开

    公开

  • 2013-01-02

    公开

    公开

  • 2013-01-02

    公开

    公开

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