法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-18
授权
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/00 申请日:20090831
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 生长化合物半导体的方法,使用该化合物半导体的量子阱结构以及包括该化合物半导体器件的化合物半导体器件
机译: 使用的化合物半导体晶体是由化合物半导体晶体形成的电子器件和光学器件,并且该化合物半导体晶体是通过对化合物半导体的n裸片掺杂方式和化学束聚积方式以及这些晶粒生长方式而形成的。