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高纯度镱、包含高纯度镱的溅射靶、含有高纯度镱的薄膜及高纯度镱的制造方法

摘要

本发明提供一种高纯度镱的制造方法,其特征在于,将粗氧化镱在真空中用包含蒸气压低的金属的还原性金属进行还原,并且选择性地将镱蒸馏,从而得到高纯度镱。本发明的目的在于提供能够有效且稳定地提供将蒸气压高、金属熔融状态下难以纯化的镱高纯度化的方法以及由该方法得到的高纯度镱以及包含高纯度材料镱的溅射靶以及含有高纯度材料镱的金属栅用薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN101835914B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX日矿日石金属株式会社;

    申请/专利号CN200880113007.7

  • 发明设计人 新藤裕一朗;八木和人;

    申请日2008-09-24

  • 分类号

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王海川

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-26

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C22B 59/00 变更前: 变更后: 申请日:20080924

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-03-18

    授权

    授权

  • 2011-02-16

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C22B 59/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20110104 申请日:20080924

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22B 59/00 申请日:20080924

    实质审查的生效

  • 2010-09-15

    公开

    公开

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