公开/公告号CN1162863C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;
申请/专利号CN00805798.2
申请日2000-03-13
分类号G11C11/16;G11C7/06;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 08:56:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/16 授权公告日:20040818 终止日期:20160313 申请日:20000313
专利权的终止
2016-01-13
专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/16 登记生效日:20151223 变更前: 变更后: 申请日:20000313
专利申请权、专利权的转移
2012-10-24
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 11/16 变更前: 变更后: 申请日:20000313
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-10-24
专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/16 变更前: 变更后: 登记生效日:20120918 申请日:20000313
专利申请权、专利权的转移
2004-08-18
授权
授权
2002-05-01
公开
公开
2002-04-17
实质审查的生效
实质审查的生效
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机译: 用于电阻率改变装置的集成电路具有存储器单元,该存储器单元包括彼此堆叠的两个电阻率改变层,其中每个电阻率改变层用作单独的数据存储层
机译: 存储器系统具有两个电阻性存储单元场,其中以前的电阻性存储单元场由多个电阻性存储单元形成,用于以两种不同的数据存储速度存储数据
机译: 存储器电路,具有与电阻存储单元连接的场效应晶体管,以向选择晶体管和电阻存储单元之间的节点施加预定电位,该选择晶体管与电阻存储单元与位线连接