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半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法,其在对半导体芯片进行树脂密封的半导体元件中,同时进行树脂密封部(15)的绝缘强度试验和其它特性试验,能够减少试验成本,减少特性试验装置整体的占用面积。使用于对绝缘强度进行试验的电压施加器具(1)与半导体元件的树脂密封部(15)接触,对该电压施加器具(1)施加在静特性试验或动特性试验中施加的高电压,由此在进行特性试验(漏电流试验、耐压特性试验、L负载试验等)的同时进行树脂密封部(15)的绝缘强度试验。

著录项

  • 公开/公告号CN102998606B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士电机株式会社;

    申请/专利号CN201210333291.7

  • 发明设计人 山本浩;

    申请日2012-09-10

  • 分类号

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本川崎市

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-18

    授权

    授权

  • 2013-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20120910

    实质审查的生效

  • 2013-03-27

    公开

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