通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法

摘要

本发明提供一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，包括步骤：首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙。其次，在硅衬底表面、栅极及栅极侧墙表面淀积一氮化硅薄膜层，并对氮化硅薄膜层下的整个硅衬底进行漏/源粒子的注入。接着，除去氮化硅薄膜层和侧墙，在硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一应力氮化硅层，对整个器件进行退火处理。最后，除去应力氮化硅层，进行后续硅化物形成过程。