首页> 中国专利> 一种带有限流晶体管的碳纳米管场发射阵列及制备

一种带有限流晶体管的碳纳米管场发射阵列及制备

摘要

带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件,包括阴极、位于阴极下方的栅极、阴极和栅极之间的绝缘层和半导体层,导电基板为栅极;在导电基板上设有绝缘层,在绝缘层上为半导体薄膜;半导体薄膜上设有作为阴极的格状或环状金属电极;在格状或环状金属电极格状或环状孔的中心位置设有垂直于基板生长的单根碳纳米管;所述碳纳米管的一端与半导体层电学相连,且碳纳米管通过半导体层与阴极电学相连;在平面排列的带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件构成场发射阵列,电极为网格状金属电极。所提出和碳纳米管阵列中每一根碳纳米管都串联一个限流晶体管,得到发射电流密度大,发射稳定性高的场发射元件。

著录项

  • 公开/公告号CN102306595B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海康众光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201110224202.0

  • 发明设计人 张研;李驰;

    申请日2011-08-07

  • 分类号

  • 代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈建和

  • 地址 200000 上海市杨浦区国泰路11号一层展示厅A102室

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J1/304 授权公告日:20141217 终止日期:20190807 申请日:20110807

    专利权的终止

  • 2014-12-17

    授权

    授权

  • 2014-12-17

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01J1/304 变更前: 变更后: 登记生效日:20130517 申请日:20110807

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-06-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01J 1/304 变更前: 变更后: 登记生效日:20130517 申请日:20110807

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-02-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J1/304 申请日:20110807

    实质审查的生效

  • 2012-02-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20110807

    实质审查的生效

  • 2012-01-04

    公开

    公开

  • 2012-01-04

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号