首页> 中国专利> 采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法

采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法

摘要

一种采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法,将FTO导电玻璃片放入超声波清洗器中清洗;将乙酸锌、乙醇胺和乙二醇甲醚的混合溶液I滴到导电玻璃片上,用匀胶机涂覆均匀,热处理,制ZnO薄膜;将涂覆ZnO薄膜的FTO导电玻璃片放入反应釜内,将硝酸铝、硝酸锌和六次甲基四胺加入去离子水的混合溶液II注入反应釜,对反应釜中的反应体系施加脉冲电磁场处理,处理后将反应釜移入恒温箱进行水热反应后,冲洗玻璃表面的沉淀物,干燥,得Al掺杂ZnO纳米片阵列。该方法操作简单、能耗低,所得纳米片的取向一致,垂直度较高,纳米片排列整齐,比表面积大,作为光阳极时,有利于电子传输,提高染料敏化太阳能电池效率。

著录项

  • 公开/公告号CN102693844B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 辽宁工业大学;

    申请/专利号CN201210172680.6

  • 申请日2012-05-30

  • 分类号

  • 代理机构锦州辽西专利事务所;

  • 代理人李辉

  • 地址 121001 辽宁省锦州市古塔区士英街169号

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 9/20 授权公告日:20141203 终止日期:20150530 申请日:20120530

    专利权的终止

  • 2014-12-03

    授权

    授权

  • 2014-11-05

    著录事项变更 IPC(主分类):H01G 9/20 变更前: 变更后: 申请日:20120530

    著录事项变更

  • 2012-11-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20120530

    实质审查的生效

  • 2012-09-26

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号