半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法

摘要

本发明旨在提供一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法，其目的在于提供一种相对于现有电镀法工序更加简单、方便，可降低工序费用的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法。为此，本发明的金属填充装置包括：夹具底座，具备对形成有全通导孔的晶片进行固定的夹具；上部气室，设置在所述夹具底座的上部；下部气室，设置在所述夹具底座的下部；加热器，设置在所述上部气室的内部，对放置于晶片上的填充金属进行加热使其熔融；真空泵，向外排出所述下部气室的空气以降低下部气室的压力，导致上部气室和下部气室之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充至全通导孔。