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调整参数来增加基于激光的晶片处理期间中的产量的系统和方法

摘要

用以自动修正基于激光的系统以处理目标样本(例如半导体晶片)的系统及方法。在一个实施例中,该基于激光的系统会侦测和处理模型相关联的触发信号。该处理模型对应于一组晶片。该系统会依据该处理模型而响应于该触发信号来自动调整一项或多项系统参数。该系统接着会使用所述经修正的系统参数来选择性地照射该组晶片中的至少一个晶片之上或之内的结构。在一实施例中,该触发信号包含和运动平台有关的热状态变异。该系统会响应于所述热状态变异而在一连串的移动中来操作该运动平台,直到抵达热均衡临界条件为止。举例来说,该移动序列可模拟用来处理特殊晶片的复数个移动。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 29/00 授权公告日:20141022 终止日期:20161129 申请日:20071129

    专利权的终止

  • 2014-10-22

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    授权

    授权

  • 2010-05-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20071129

    实质审查的生效

  • 2010-05-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20071129

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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