公开/公告号CN101711415B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克科技股份有限公司;
申请/专利号CN200880019196.1
发明设计人 尼马·莫克莱西;
申请日2008-06-03
分类号G11C16/26(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人黄小临
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 09:21:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 16/26 变更前: 变更后: 申请日:20080603
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-10-22
授权
授权
2012-07-11
专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 16/26 变更前: 变更后: 登记生效日:20120625 申请日:20080603
专利申请权、专利权的转移
2010-07-07
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/26 申请日:20080603
实质审查的生效
2010-05-19
公开
公开
机译: 具有改进的位线感测操作的半导体存储器件以及用于驱动半导体存储器件的位线感测放大器中的功率的方法
机译: 具有改进的位线感测操作的半导体存储器件以及用于驱动半导体存储器件的位线感测放大器中的功率的方法
机译: 具有用于控制位线负载并提高位线感测放大器的感测效率的装置的半导体存储器