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气体屏蔽膜、包含它的电子器件、气体屏蔽袋、以及气体屏蔽膜的制造方法

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摘要

本发明提供一种气体屏蔽膜，与塑料薄膜(1)的各主面接触的气体屏蔽层(2)是利用催化CVD得到的SiCNFH层，满足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.07、0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08、以及0.05＜I(CF)/I(SiN)＜0.3的条件，或者是SiOCNH层，满足0.1＜I(SiH)/I(NH)＜0.9、0.0＜I(CH)/I(NH)＜0.3、8＜I(SiN)/I(NH)＜20、以及2＜I(SiO

著录项

公开/公告号CN102365387B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社材料设计工场;爱沃特株式会社;
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申请/专利号CN201080014250.0
发明设计人中山弘;
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申请日2010-03-23
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人蒋亭
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:18:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-12

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/42 授权公告日:20140507 终止日期:20180323 申请日:20100323

专利权的终止
2014-05-07

授权

授权
2014-05-07

授权

授权
2012-04-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/42 申请日:20100323

实质审查的生效
2012-04-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/42 申请日:20100323

实质审查的生效
2012-02-29

公开

公开
2012-02-29

公开

公开

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