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一种原位生成硫化铋/蒙脱石插层复合材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种原位生成硫化铋/蒙脱石插层复合材料的制备方法,以无水硝酸铋和硫脲为原料,将其溶解后,向其中加入钠基蒙脱石,搅拌均匀,然后确保溶液中无铋离子后,离心出沉淀物,将沉淀物微波处理,最后离心、洗涤、烘干即可。本发明利用铋的阳离子行络合物作为硫化铋的前驱体,能使铋最大限度的进入到蒙脱石层间;本发明利用蒙脱石的特性,可以化学吸附阳离子,从而使阳离子能规则的排列,所以微波辐射加热后,硫化铋也会规则的排列在蒙脱石层间。本发明方法可以使得纳米硫化铋均匀的分散。由于蒙脱石(001)晶面起到了,限制硫化铋生长的作用,所以生成的纳米硫化铋有特定的形状。

著录项

  • 公开/公告号CN102807227B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN201210296524.0

  • 申请日2012-08-20

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-16

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/38 申请日:20120820

    实质审查的生效

  • 2012-12-05

    公开

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