电子器件及使用溶液处理技术制造电子器件的方法

摘要

制造电子器件的方法，该方法包括：提供包含电路元件的基底(801)；在该基底(801)上形成双岸阱限定结构，该双岸阱限定结构包含绝缘材料的第一层(800)和位于其上的绝缘材料的第二层(804)；并将有机材料的溶液沉积在该双岸阱限定结构所限定的阱中。该双岸阱限定结构通过在用于形成阱的单一处理步骤中从第一层和第二层(800，804)去除材料而形成。该第一层(800)由比第二层(804)的材料去除速度快的材料制成，以形成外伸台阶结构，其中该第二层(804)突出到该第一层(800)的边缘之外。