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旨在减少施主衬底拉伸应力状态的异质结构体的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法,所述方法包括以下步骤:将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部,以在其中形成脆弱区(11);在施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3);沿脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部以在该受主衬底上赋予需要的薄层(12),其中,所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于施主衬底(1)的热膨胀系数,而且为便于分离,在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火,其特征在于以下事实:所述分离退火包括以下同步施加:对施主衬底(1)施加第一温度;对受主衬底(3)施加不同于第一温度的第二温度;对所述第一温度和第二温度进行选择,以减少施主衬底(1)的拉伸应力状态。

著录项

  • 公开/公告号CN102318055B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;

    申请/专利号CN200980156845.7

  • 发明设计人 马克·凯纳德;

    申请日2009-09-09

  • 分类号H01L21/762(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰;庞东成

  • 地址 法国伯涅尼

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更前: 变更后: 申请日:20090909

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2014-04-23

    授权

    授权

  • 2012-03-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20090909

    实质审查的生效

  • 2012-01-11

    公开

    公开

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