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非易失性存储器及用于在初始编程电压的修整期间减少擦除/写入循环的方法

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摘要

高性能非易失性存储器装置具有针对个别类型的存储器页及字线而修整的编程电压。在连续的编程循环中测试存储器的每一可擦除块内的字线群组以最小化引发过多数量的擦除/编程循环的问题。从存储器页中的类似存储器页的样本的统计结果导出给定类型的存储器页的最佳编程电压。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-27

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 16/10 变更前: 变更后: 申请日:20070830

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-03-26

授权

授权
2012-12-19

专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 16/10 变更前: 变更后: 登记生效日:20121116 申请日:20070830

专利申请权、专利权的转移
2009-10-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-19

公开

公开

1. 非易失性存储器及用于在初始编程电压的修整期间减少擦除/写入循环的方法 [P] . 中国专利： CN101512665B . 2014.03.26
2. 写入电可擦除可编程非易失性存储器的方法及集成电路 [P] . 中国专利： CN111798907A . 2020-10-20
3. Method for non-volatile memory with reduced erase/write cycling during trimming of initial programming voltage [P] . 美国专利： US7606091B2 . 2009-10-20

机译：在修整初始编程电压期间具有减少的擦除/写入循环的非易失性存储器的方法
4. Method for Non-Volatile Memory With Reduced Erase/Write Cycling During Trimming of Initial Programming Voltage [P] . 美国专利： US2008062768A1 . 2008-03-13

机译：初始编程电压修整期间具有减少的擦除/写入循环的非易失性存储器的方法
5. Non-Volatile Memory With Reduced Erase/Write Cycling During Trimming of Initial Programming Voltage [P] . 美国专利： US2008062785A1 . 2008-03-13

机译：初始编程电压修整期间具有减少的擦除/写入循环的非易失性存储器