首页> 中国专利> 静磁波器件及其制造方法

静磁波器件及其制造方法

摘要

为了构图形成于非磁性柘榴石衬底表面上的磁性柘榴石层,从衬底侧算起依次形成磁性柘榴石层、中间层和抗蚀剂层,中间层和抗蚀剂层成形为岛形,然后,用热磷酸溶液腐蚀磁性柘榴石层,中间层由比抗蚀剂层更易溶于热磷酸溶液的材料构成,以便使腐蚀过的磁性柘榴石层的侧面形成为平缓的斜面,可以不发生破裂地形成延伸于非磁性柘榴石衬底和磁性柘榴石层上的导体图形,或在衬底的背面上形成保护抗蚀剂层,以便可以精确地控制加于磁性柘榴石层表面上的磁场的角度。

著录项

  • 公开/公告号CN1141720C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN98800428.3

  • 发明设计人 仓田仁义;

    申请日1998-03-19

  • 分类号H01F10/24;H03B5/18;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-05-16

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-03-10

    授权

    授权

  • 1999-07-21

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-07-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号