首页> 中国专利> 一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路

一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路

摘要

本发明公开了一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路,包括二极管、高压NMOS管、电流镜与锁存器。其中二极管包括第一二极管D1和第二二极管D2,高压NMOS管包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2,电流镜由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成,锁存器由第一反相器I1和第二反相器I2组成,这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD,地端接第二高压电位VSW,第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入,同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入,第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端,锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。与现有技术相比本发明具有电路结构简单、控制稳定可靠等优点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-29

    授权

    授权

  • 2013-04-10

    著录事项变更 IPC(主分类):H03K 19/0185 变更前: 变更后: 申请日:20101117

    著录事项变更

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/0185 申请日:20101117

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号