一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法

摘要

本发明提供了一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法，包括加工和固定抛光过程所用的支撑体，将粗抛光与精细抛光两道工艺有效结合，达到去除电极的目的，其中，粗抛光所用的材料是粒度为9-11μm的氧化铝抛光粉，而精细抛光所用的材料则是粒度为3.4-3.6μm的细的氧化铝抛光粉，将这两种粒度的抛光粉分别用去离子水配制30-60g/L的悬浮液，用脱脂棉球蘸取少量悬浮液进行抛光。本发明方法获得的贵金属纳米线阵列背面平整度好、无裂缝、均匀、光滑，为实现贵金属纳米线阵列窄的、强的SPR谱奠定材料和技术基础。