首页> 中国专利> 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物

用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物

摘要

本发明公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的、包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜的方法。该方法包括采用包含硅的前体、包含碳的前体和化学改性剂。本发明也公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的氧化硅膜或者氮化硅膜的方法,包括采用有机硅烷前体和化学改性剂。

著录项

  • 公开/公告号CN101275219B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 气体产品与化学公司;

    申请/专利号CN200710306176.X

  • 申请日2007-11-28

  • 分类号C23C16/22(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/34(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人段晓玲;韦欣华

  • 地址 美国宾夕法尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-14

    专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/22 登记生效日:20170626 变更前: 变更后: 申请日:20071128

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-10-30

    授权

    授权

  • 2013-10-30

    授权

    授权

  • 2008-11-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-01

    公开

    公开

  • 2008-10-01

    公开

    公开

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