阴影效应分析结构、其形成方法和其分析方法

摘要

本发明提供一种阴影效应分析结构，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其中至少有两个光刻胶柱的高度不相同。本发明还提供一种所述阴影效应分析结构的形成方法和其分析方法，通过本发明的结构及其分析方法，降低阴影效应分析成本，提高阴影效应的分析效率，进一步还可以优化离子注入的光刻胶层高度，改善阴影效应。