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一种一维金属/半导体纳米异质结晶体管及其制备方法

摘要

本发明提出一种一维金属/半导体纳米异质结晶体管及制备方法,该方法包括以下步骤:提供具有氧化层硅片;在氧化层上设置第一电极对和与其成预定角度的第二电极对,第一电极对包括第一和第二电极,第二电极对包括第三和第四电极;在第一和第二电极之间放入电镀液并对其施加交流电形成中间部分断开的一维金属纳米线;在中间断开处放入包含半导体纳米线的悬浮液并对其施加交流电将半导体纳米线与一维金属纳米线连接;在第三和第四电极之间形成另一一维金属纳米线。该方法实现载流子一维电传导减弱了散射效应的影响。并利用交流电沉积和介电电泳相结合的方法组装一维异质结在目标位置。具有无需掩模和真空环境的特点,成本低,适合批量生产。

著录项

  • 公开/公告号CN102420244B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201110359848.X

  • 发明设计人 周兆英;樊姣荣;杨兴;

    申请日2011-11-14

  • 分类号H01L29/737(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/10(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张大威

  • 地址 100084 北京市海淀区100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/737 授权公告日:20131009 终止日期:20141114 申请日:20111114

    专利权的终止

  • 2013-10-09

    授权

    授权

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/737 申请日:20111114

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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