形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法

摘要

一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿法刻蚀阻挡层为掩膜，湿法刻蚀沟槽形成瓶式沟槽；去除瓶式沟槽内的湿法刻蚀阻挡层。本发明形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，从而不会存在金属污染的问题；利用原子层沉积方法或低压气相沉积方法形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，因此可以解决现有技术中随着沟槽的开口越来越小，湿法刻蚀阻挡层的均匀性以及深度很难控制的技术问题；另外，可以在现有的反应腔内进行，扩大现有的反应腔的工艺能力。