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具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置

摘要

一种存储器单元装置,这种装置包括存储材料,可通过施加能量在第一与第二(顶部与底部)电极,改变电性;其中该顶部电极包括较大的主体部分与作用部。该存储材料以层状沉积在底部电极层之上,同时顶部电极的作用部基底与存储材料的表面小区域具有电接触。制作上述装置的方法也在其中描述。

著录项

  • 公开/公告号CN102097587B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201010589519.X

  • 发明设计人 龙翔澜;

    申请日2007-09-06

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈松涛

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-28

    授权

    授权

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20070906

    实质审查的生效

  • 2011-06-15

    公开

    公开

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