公开/公告号CN116453624A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202310195818.2
发明设计人
申请日2023-03-03
分类号G16C60/00;G06F30/23;G06F111/10;G06F119/08;G06F119/14;
代理机构
代理人
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2024-04-18 19:55:00
机译: 由碱,碱金属和锰组成的选定添加剂的介观介观结构或介孔材料
机译: 介电层和金属铁素体磁层烧结结合的烧结结构及其制造方法
机译: 形成介电材料的阻挡层的复合物以抑制从整体电路结构的铜金属互连到低K介电材料的相邻层中的铜迁移的过程