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一种过渡性膜层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种过渡性膜层及其制备方法,过渡性膜层生长于底层镀膜基材上,所述过渡性膜层为所述底层镀膜基材与上层目标膜层的过渡层,所述过渡性膜层为铁基膜。本发明通过在不兼容的底层镀膜基材和上层目标膜层之间引入中间过渡性膜层,利用过渡性膜层和底层镀膜基材以及上层目标膜层均兼容的特点,克服了上层目标膜层在这些底层镀膜基材上生长不良的问题,解决了现有技术中在高铝、高镍、高铜等基材上进行硅材膜镀膜时,硅材膜生长不良的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN116988040A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海应用技术大学;

    申请/专利号CN202310708393.0

  • 发明设计人 卢建宁;

    申请日2023-06-14

  • 分类号C23C16/14(2006.01);C23C16/16(2006.01);C23C16/18(2006.01);C23C16/22(2006.01);C23C16/44(2006.01);

  • 代理机构上海领匠知识产权代理有限公司 31404;

  • 代理人陈剑

  • 地址 201418 上海市奉贤区海泉路100号

  • 入库时间 2024-04-18 19:50:21

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