一种半导体激光器用巴条扎测装置及扎测方法

摘要

本发明涉及一种半导体激光器用巴条扎测装置及扎测方法，属于半导体激光器技术领域。装置，包括支架、基架、巴条底座、三轴运动平台、反射镜片和积分球，其中，支架上设置有基架，基架一侧设置有扎测针，支架底端设置有三轴运动平台，三轴运动平台上设置有巴条底座，巴条底座上并排均匀设置有凸台，凸台一侧的巴条底座上设置有反射镜片，反射镜片上方设置有积分球，积分球通过气缸连接于支架顶端。本发明解决了巴条无法自动扎测的问题，避免人工进行扎测，节约人力，生产效率高，扎测一致性好，提高了产品合格率。

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体激光器用巴条扎测装置及扎测方法，属于半导体激光器技术领域。

背景技术

二十世纪70年代，半导体激光器室温连续震荡的成功和低损耗光纤的实现拉开了光电子时代的序幕。半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、易于调制及价格低廉等优点，在工业、医学和军事领域得到了广泛的应用。这也促进半导体激光器的产业化，由于生产工艺等技术问题，半导体激光器存在早期失效、偶然失效、损耗失效三种失效形式，在半导体激光器的产业化生产中必然要面对如何剔除早期失效产品的问题。

中国专利文件CN210198679U公开了一种半导体激光器功率测试与光斑识别装置，该装置包括底座支架，底座支架顶部设有第一横梁，底座支架中部设有第二横梁，第一横梁一端固定安装有积分球，积分球底部设有两个半透半反镜片支架，半透半反镜片两端分别与两半透半反镜片支架固定连接，底座支架上固定安装有激光器插座，第二横梁一端固定安装有半透屏幕，另一端固定安装有CCD相机，积分球顶部设有测试探头。该装置只能解决封装成型半导体激光器产品的测试，无法对巴条进行扎测。

目前在LD测试行业，半导体激光器巴条(巴条即为单个芯片解理前状态，一条巴条由80-100左右芯片组成，如图1所示)扎测的方法为手动扎测，即将带有巴条的热沉条放到滑动平台上，然后通过扎测针扎出功率与波长，通过人眼去辨别，这种方式的弊端在于人工辨别一致性差，工作效率低，漏扎，乱扎现象频繁发生。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体激光器用巴条扎测装置，解决了巴条无法自动扎测的问题，避免人工进行扎测，节约人力，生产效率高，扎测一致性好，提高了产品合格率。

本发明还提供上述半导体激光器用巴条扎测装置的扎测方法。

术语解释：

扎测：巴条的背面(即N面)放到导电良好的铜板上，作为负极，通过扎测针一端供正电，通过扎测针接触P面形成回路，完成供电，打出的光束通过积分球进行分析，采集功率与波长，这一个动作称为扎测。

本发明的技术方案如下：

一种半导体激光器用巴条扎测装置，包括支架、基架、巴条底座、三轴运动平台、反射镜片和积分球，其中，

支架上设置有基架，基架一侧设置有扎测针，支架底端设置有三轴运动平台，三轴运动平台上设置有巴条底座，巴条底座上并排均匀设置有凸台，凸台一侧的巴条底座上设置有反射镜片，反射镜片上方设置有积分球，积分球通过气缸连接于支架顶端。

优选的，基架为圆环形，巴条底座外径小于基架内径，使用时，三轴运动平台带动巴条底座运动，巴条底座向上运动至基架内，与扎测针接触，实现扎测测试。

优选的，凸台高度为0.1-0.3mm。

优选的，凸台为方形凸起。便于定位。

优选的，凸台一侧的底座上设置有V型槽，V型槽内斜面为45°倾斜面，V型槽内设置有反射镜片，反射镜片呈45°设置，巴条通过扎测打出的光束经反射镜片反射，垂直向上反射进行积分球内。

优选的，巴条底座内设有真空腔室，真空腔室通过真空通道外接真空泵，真空腔室通过真空盖板进行密封，凸台一侧设置有真空气孔，真空气孔贯穿至真空腔室，真空腔室内产生负压，进而通过真空气孔吸附固定巴条。

优选的，真空气孔直径为0.2-0.4mm。

一种利用上述半导体激光器用巴条扎测装置的扎测方法，包括步骤如下：

(1)将待扎测的巴条放置到巴条底座的凸台上，通过真空吸孔进行吸附固定；

(2)巴条固定后，三轴运动平台带动巴条底座向上运动，使巴条与扎测针接触，供电后巴条打出的光束经反射镜片反射，垂直向上反射进行积分球内，采集功率与波长，完成巴条的一次扎测；

(3)三轴运动平台带动巴条底座向下运动，巴条脱离扎测针，横向调整巴条位置(对巴条的不同位置进行扎测)，然后三轴运动平台重新带动巴条底座向上运动，巴条接触扎测针继续进行扎侧，然后继续往复运动至设定次数，完成扎侧。

优选的，步骤(3)中，往复运动次数为20-30次，使每条巴条横向上充分接触扎侧针，提高扎测一致性和全面性。

本发明的有益效果在于：

1、本发明提供一种半导体激光器用巴条扎测装置及扎测方法，解决了巴条无法自动扎测的问题，避免人工进行扎测，节约人力，生产效率高，扎测一致性好，提高了产品合格率。

2、本发明避免人工进行扎测，减少了操作人员接触巴条的几率，大批量的减少了污染。

附图说明

图1为巴条结构图；

图2为本发明中的反射镜片结构图；

图3为本发明方法中巴条底座放置巴条与反射镜片后的结构示意图；

图4为图3中A部分的局部放大图；

图5为本发明的巴条底座拆分结构示意图；

图6为本发明的巴条扎测光束反射原理图；

图7为本发明的整体结构示意图；

其中，1、巴条，2、反射镜片，3、扎测针，4、真空吸孔，5、凸台，6、V型槽，7、真空通道，8、真空盖板，9、巴条底座，10、气缸，11、积分球；12、基架。

具体实施方式

下面通过实施例并结合附图对本发明做进一步说明，但不限于此。

实施例1：

如图1-7所示，本实施例提供一种半导体激光器用巴条扎测装置，包括支架、基架12、巴条底座9、三轴运动平台、反射镜片2和积分球11，其中，

支架上设置有基架12，基架12一侧设置有扎测针3，支架底端设置有三轴运动平台，三轴运动平台上设置有巴条底座9，巴条底座9上并排均匀设置有凸台5，凸台5一侧的巴条底座9上设置有反射镜片2，反射镜片2上方设置有积分球11，积分球11通过气缸10连接于支架顶端。

基架12为圆环形，巴条底座为圆形横切一块后的割圆状，巴条底座9外径小于基架12内径，使用时，三轴运动平台带动巴条底座运动，巴条底座向上运动至基架内，与扎测针接触，实现扎测测试。

凸台5高度为0.1mm。

凸台5为方形凸起。便于定位。

凸台5一侧的底座上设置有V型槽6，V型槽6内斜面为45°倾斜面，V型槽6内设置有反射镜片2，反射镜片呈45°设置，巴条通过扎测打出的光束经反射镜片反射，垂直向上反射进行积分球内。

巴条底座9内设有真空腔室，真空腔室通过真空通道7外接真空泵，真空腔室通过真空盖板8进行密封，凸台5一侧设置有真空气孔4，真空气孔4贯穿至真空腔室，真空腔室内产生负压，进而通过真空气孔吸附固定巴条。

真空气孔4直径为0.2mm。

一种利用上述半导体激光器用巴条扎测装置的扎测方法，包括步骤如下：

(1)将待扎测的巴条1放置到巴条底座9的凸台5上，通过真空吸孔进行吸附固定；

(2)巴条1固定后，三轴运动平台带动巴条底座9向上运动，使巴条1与扎测针3接触，供电后巴条打出的光束经反射镜片反射，垂直向上反射进行积分球内，采集功率与波长，完成巴条的一次扎测，具体的合格标准根据产品确定，如808产品，功率达到250mw为合格，波长806-808为合格；

(3)三轴运动平台带动巴条底座9向下运动，巴条1脱离扎测针3，横向调整巴条位置(对巴条的不同位置进行扎测)，然后三轴运动平台重新带动巴条底座向上运动，巴条接触扎测针继续进行扎侧，然后继续往复运动20次，完成扎侧。

实施例2：

一种半导体激光器用巴条扎测装置，结构如实施例1所述，不同之处在于，凸台5高度为0.3mm，真空气孔4直径为0.4mm。

实施例3：

一种半导体激光器用巴条扎测装置的扎测方法，步骤如实施例1所述，不同之处在于，步骤(3)中，往复运动次数为30次，使每条巴条从左到右在横向上充分接触扎侧针，提高扎测一致性和全面性。

以上所述，实施例中的方案并非用以限制本发明的专利保护范围，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明的技术范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许变动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明的技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。