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公开/公告号CN115727876A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-03
原文格式PDF
申请/专利权人 国网智能电网研究院有限公司;
申请/专利号CN202211474394.5
发明设计人 邓辉;黄辉;梁云;黄凤;田文锋;
申请日2022-11-23
分类号G01D5/12;
代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人李静玉
地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
入库时间 2023-06-19 18:40:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-03
公开
发明专利申请公布
机译: 用于使用两个矩形正交取向的磁阻的二维位置传感器的芯片具有第二个磁敏传感器,该传感器记录通过磁性材料的运动沿第二轴产生的脉冲
机译: 具有垂直于衬底平面和磁体布置的MR元件的磁敏平面的磁传感器
机译: 磁致敏传感器对mram芯片的神经遗传基因屏蔽
机译:基于银纳米线-聚氨酯海绵增强的磁流变弹性体的可伸缩磁敏应变传感器
机译:基于磁敏材料的磁传感器的原理和应用
机译:磁气敏法的磁通门传感器
机译:通过冲击压实方法制造的散装BPSCCO磁传感器的磁特性:磁传感器磁敏度与厚度之间的关系
机译:用于生物医学应用的CMOS磁传感器芯片
机译:通过控制释放荧光脱机传感器的三价阳离子检测磁敏微胶囊
机译:非线性磁通扩散方程数值解对YBCO样品中磁敏度高次谐波的频率依赖性